RS1J-E3/5AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | RS1J-E3/5AT |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.47 |
10+ | $0.351 |
100+ | $0.1988 |
500+ | $0.1316 |
1000+ | $0.1009 |
2000+ | $0.0878 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 250 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | RS1 |
RS1J-E3/5AT Einzelheiten PDF [English] | RS1J-E3/5AT PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RS1J-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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